Transistor IRF9530N, 100 V 12A MOSFET TO220

Type de canal de contrôle: P -Channel
Dissipation de puissance maximale (Pd): 79 W
Tension drain-source maximale | Vds |: 100 V
Tension grille-source maximale | Vgs |: 10 V
Courant de drain maximal | Id |: 14 A
Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
Charge de porte totale (Qg): 38,7 nC
Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 0,2 Ohm